机译:通过编程/擦除持久性分析NAND闪存中浮栅电荷的移位和生成的隧穿氧化物陷阱电荷分布的新方法
机译:高温对肖特基屏障捕获回忆的细胞读数,编程和擦除的影响
机译:具有Ge通道的电荷陷阱闪存设备的增强的编程和擦除速度
机译:三级单元电荷陷阱3D NAND闪存中的编程/擦除循环增强的横向电荷扩散
机译:闪存可擦可编程只读存储设备中的热载流子效应。
机译:带有原子层沉积ZnO电荷陷阱层的非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管存储器的电压极性相关编程行为
机译:通过Poole-Frenkel空穴发射,具有嵌入式硅纳米粒子的低功耗基于氧化锌的电荷陷阱存储